2012年5月24日木曜日

太さ200μmのCuワイヤ・ボンディング技術

新日本無線、太さ200μmのCuワイヤ・ボンディング技術をSiCデバイス向けに量産化 - 電子部品 - Tech-On!

パワー半導体:新日本無線、パワーデバイス向けに銅太線ボンディング量産技術 - EE Times Japan

田中電子工業、パワー半導体向け結線を銅で代替 | レスポンス (ビジネス、企業動向のニュース)

パワーデバイスセミナー

パワーデバイスセミナー (1) | SEMI Japan

パワーデバイスセミナー (1) -GaN・SiCパワーデバイス開発状況と市場予測-

パワーデバイスセミナー (2) | SEMI Japan

パワーデバイスセミナー (2) -GaN・SiCパワーデバイス開発状況と市場予測-

Kyma demos 10” AlN-on-sapphire template

Semiconductor Today

Kyma demos 10” AlN-on-sapphire template

Kyma Demonstrates 10-Inch Diameter Aluminum Nitride on Sapphire Template Product

EpiGaN Opens New Site to Produce Gallium Nitride Epitaxial Material

EpiGaN Opens New Site to Produce Gallium Nitride Epitaxial Material

Semiconductor Today

Imec spin-off EpiGaN starts production at new site

Germ-Killing UV LEDs

Germ-Killing UV LEDs (photonics.com | May 2012 | Research & Technology)

2012年5月23日水曜日

高パワー密度の強制空冷式フルSiCインバーターを開発

日経プレスリリース  三菱電機、高パワー密度の強制空冷式フルSiCインバーターを開発

三菱電機、出力パワー密度が50kVA/Lと大きいフルSiCインバータ・モジュールを試作 - グリーン・デバイス - Tech-On!

朝日新聞デジタル:三菱電、フルSiCインバーター開発 - 日刊工業新聞ニュース - デジタル

Direct chip bonding, all-SiC design increase power density in Mitsubishi Electric inverter - ElectroIQ

三菱電機、フルSiC化で自動車機器の小型化に貢献するインバーターを開発 | レスポンス (ビジネス、企業動向のニュース)

Power discrete semiconductors grow with cloud computing, electric vehicle demand

Power discrete semiconductors grow with cloud computing, electric vehicle demand - ElectroIQ

Startup opens GaN-on-Si wafer production facility

Startup opens GaN-on-Si wafer production facility

Dr. David Reusch Joins EPC as Director Applications Engineering

Dr. David Reusch Joins Efficient Power Conversion (EPC) as Director Applications Engineering | EON: Enhanced Online News

University of Nottingham spin-out in major EU research

University of Nottingham spin-out in major EU research | Technology | Bdaily Business Network

EpiGaN starts production of gallium nitride epitaxial material

EpiGaN starts production of gallium nitride epitaxial material

2012年5月18日金曜日

夢の素材・グラフェンで画期的な技術開発

サムスン 夢の素材・グラフェンで画期的な技術開発 | Joongang Ilbo | 中央日報

サムスン、処理速度100倍アップの半導体技術開発 - 中国新聞

Chosun Online | 朝鮮日報

サムスン電子、「グラフェン半導体」の開発成功

サムスン、グラフェントランジスタの電流オン・オフに成功 « SJN Blog 再生可能エネルギー最新情報

半導体性能、なんと100倍アップ! サムスン新技術開発 - SankeiBiz(サンケイビズ)

エネルギー効率化の強いニーズが、パワーディスクリート半導体の材料や技術の進歩を牽引

エネルギー効率化の強いニーズが、パワーディスクリート半導体の材料や技術の進歩を牽引 | 株式会社グローバルインフォメーション | News2u.net


国際化粧品開発展で「フラーレン」の最新技術を紹介

ビタミンC60バイオリサーチ、国際化粧品開発展で「フラーレン」の最新技術を紹介 - 化粧品業界人必読!日刊コスメ通信 | 週刊粧業

HV向けSiCインバーター開発

デンソー、HV向けSiCインバーター開発:日刊工業新聞

【人とくるま展プレ】デンソー、出力パワー密度が60kW/Lと大きいSiCインバータを試作 - 電子部品 - Tech-On!

人とくるまのテクノロジー展2012:デンソーが小型SiCインバータを披露、出力密度は世界最高水準の60kW/l - EE Times Japan

【人とくるま展】デンソー、出力密度60kW/LのSiCインバータの仕様などを明らかに

430度Cの耐熱性持つ鉛フリーのハンダ材料開発

茨城大、430度Cの耐熱性持つ鉛フリーのハンダ材料開発:日刊工業新聞

Reducing substitutional carbon in AlN LED substrates boosts deep-UV LED efficiency

Reducing substitutional carbon in AlN LED substrates boosts deep-UV LED efficiency - Laser Focus World

パワー半導体を縮小-社会インフラ回帰

朝日新聞デジタル:富士電機、パワー半導体を縮小-社会インフラ回帰 - 日刊工業新聞ニュース - デジタル