通常鏡面を出すのにダイヤモンドを使った研磨を行いますが、現れる面は微分干渉顕微鏡でこんな感じです。かなりガサガサした感じで、ＡＦＭを使ったＲａの計測ではで２～４ｎｍぐらいです。
「従来の機械研磨」
で、今回開発した機械研磨はこんな感じで、ガサガサした感じがありません。
「究極の機械研磨」
ちなみに弊社が売りにしているケミカル反応を使用した、いわゆるＣＭＰあがりの画像はこんな感じなので、かなりの高品質な面になっていることがわかると思います。
「ＣＭＰ」
出来たばっかりなので、しっかりとした計測が出来ていませんが、自信を持っておすすめできる面だと思います。
従来品と開発品のＫＯＨを行ってダメージの状況を観察しようと思っていますが、開発品の工程と従来の工程を最適化すれば、かなり低コストで研磨できると予想しています。
また、この面であればある処理を加えることによりダメージが無くすことが出来るので、エピ工程で問題なく膜を積むことができるとすれば、ＣＭＰレスでトータルコスト削減に寄与できると考えています。
当然、機械研磨なので、ケミカル反応の違いによる面方位による差は現れにくいので、もしかしたら焼結体や多結晶のＳｉＣにも適応できる・・・かもしれません。
※※※ テストしたウェハは４Ｈｎ・Ｓｉ面・８°オフです ※※※
出来れば、講演会のブースで紹介できればと急遽パンフレットを作成しているところです。 ご期待ください！
2 コメント:
以前、ナノダイヤモンドを用いた仕上げを検討していてこんな表面に仕上がった記憶があります。CMP前の加工で採用するとCMPに要する時間を激減させる効果もあり、平面度も猛烈に良くなるのでSiC-MEMSに必要な1ミクロン以下のGBIR達成に有効ではないかと考えている次第です。
そうなんです。ＣＭＰの時間を大幅に削減できトータルコストを下げることが出来ます。
が、
本当の狙いはＣＭＰレスです。方法はわかっているのですが、加工屋の範疇を超えてしまっているので、量産コストを意識した企業さんとの連携が必要になってきます。
加えて、
結晶性を無視してこの仕上に持っていける点で、単結晶以外にも適応できそうです。
ちなみに、
弊社では、ナノダイヤを・・・
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