2012年1月19日木曜日

耐熱２５０度Ｃのパワー半導体向け封止材を開発

日本触媒、耐熱２５０度Ｃのパワー半導体向け封止材を開発:日刊工業新聞

時刻: 8:51

0 コメント:

コメントを投稿

登録: コメントの投稿 (Atom)