SiCパワー半導体の第2弾を発表

「これでSiCデバイスがすぐに使えます」、ルネサスがSiCパワー半導体の第2弾を発表 - 電子部品 - Tech-On！

http://journal.mycom.co.jp/news/2012/01/25/009/index.html

Semiconductor Today

Renesas launches second series of low-loss SiC power devices integrating power conversion circuit in single package

Renesas Introduces Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Renesas introduces three new SiC compound power devices - Computer Business Review

Renesas Electronics Announces Low-Loss Silicon Carbide Power Device Series

朝日新聞デジタル：ルネサスエレクトロニクス、回路設計の煩雑さを解消したパワー半導体 - 日刊工業新聞ニュース - デジタル